커브드 채널을 갖는 나노시트 반도체소자
산업분류261 반도체 제조업
IPCH10D 30/67외 4
서지 사항Bibliography · KIPRIS
출원번호10-2024-0143676 (2024-10-21)
공개번호1020260013861 (20260129)
등록번호1029504300000 (20260406)
법적상태등록 · KIPRIS 조회일 2026-09-07
출원인충북대학교 산학협력단
발명자박준영
원문KIPRIS 원문 보기 · 10-2024-0143676
IPCH10D 30/67H10D 30/60H10D 62/10외 2개
산업분류(KSIC)
261 반도체 제조업
어디에 쓸 수 있는가연구자 확인 문장
아래 내용은 해당 기술의 연구자가 C-TOM 분석 보고서(기업 공개본)에서 확인한 문장입니다.
나노시트 채널을 V자형 그루브로 구부려 게이트 절연체와의 접합 면적을 늘림
기판 상에 소스와 드레인이 배치되고 그 사이에 채널이 놓임소스와 드레인 사이의 채널이 하나 이상의 V자형 그루브를 갖는 형상으로 구부러져 있음평탄한 채널을 구부려 채널과 게이트 절연체의 접합 면적을 증가시킴접합 면적 증가로 On-state Current 를 향상시킴커브드 채널의 V자형 그루브가 5nm 의 깊이와 27.15° 의 경사각을 가짐직선형 채널을 갖는 나노시트 소자 대비 출력전류가 3.55% 증가함직선형 채널을 갖는 나노시트 소자 대비 누설전류가 9.57% 감소함저유전율 게이트 유전막이 커브드 채널을 둘러싸고 그 위에 고유전율 게이트 유전막이 놓임기판이 하나 이상의 V자형 그루브가 형성된 상면을 가짐소스와 드레인 사이에 게이트가 배치됨소스와 게이트 사이 그리고 드레인과 게이트 사이에 스페이서가 배치됨커브드 채널의 둘레에 게이트 유전막이 형성됨기판의 측면에 STI 가 배치되어 소자를 가름커브드 채널이 수직으로 적층된 복수의 채널이며 그 수가 3개 또는 4개임
선행 소자 구조 라이선스 — 커브드 채널 형상
산업반도체 로직 소자 제조
구매자로직 파운드리 기업의 선행소자개발팀 (차세대 소자 구조 탐색 예산 집행 주체)
해결 문제나노시트 세대에서 구동전류를 더 올리려면 시트 폭을 넓히거나 적층 수를 올려야 하는데, 둘 다 셀 면적과 시트 간 간격을 먹어 다른 설계 여유를 깎아 먹음
확인된 근거 문장
kosis:127.DT_12007_B001 은 반도체제조업 사업체수 515개·출하액 209,979,030 백만원을 셈
곡면 채널용 2층 게이트 유전막 적용 검토
산업반도체 로직 소자 제조
구매자같은 파운드리 기업의 게이트 스택 공정팀 (증착 공정·계면 처리 개발 예산 집행 주체)
해결 문제게이트 유전막을 평탄면에 맞춰 잡아 놓았는데 채널이 곡면이 되면 모서리와 골에서 두께가 달라져, 지금 쓰는 두께 관리 기준으로는 통과 여부를 가릴 수 없음
확인된 근거 문장
kosis:127.DT_12007_B001 은 반도체제조업 사업체수 515개를 항목으로 셈
누설전류를 낮춘 저전력 메모리 주변 소자
산업메모리 반도체 제조
구매자메모리 반도체 기업의 주변회로 소자설계팀 (대기전력 저감 개발 예산 집행 주체)
해결 문제메모리의 대기전력에서 주변 소자의 누설이 큰 몫을 차지하는데, 누설을 줄이려고 문턱전압을 올리면 동작 속도가 함께 내려감
확인된 근거 문장
kosis:127.DT_12007_B001 은 메모리용전자집적회로제조업 사업체수 48개를 항목으로 셈
응용분야 탐색 보고서 · 기업 제공본
이 기술이 어디에 쓰일 수 있는가를 탐색한 결과를 HTML 한 장으로 드립니다 — 한 문장 정의 · 기능 · 응용 후보의 영역 배치 · 연구자가 확인한 문장.
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